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磁控濺射的鍍膜原理
磁控濺射鍍膜技術分很多種，有直流磁控濺射，中頻磁控濺射，射頻磁控濺射，鍍的基材和膜層不一樣，才用的原理不一樣，選擇的技術有區別。
采用中頻濺射的優點是可得到光滑致密、膜層硬度高、膜厚可線性長、溫升緩和的產品。但要求較高，工作壓強范圍很窄，各種控制要求快速準確。 多弧濺射在靶材上施小電壓大電流使材料離子化，從而高速擊向基片并沉積，形成致密膜堅硬膜。主要用于耐磨耐蝕膜。其缺點是正負電撞造成膜層不均勻，空穴、燒蝕。
中頻濺射的原理跟一般的直流濺射是相同的，不同的是直流濺射把筒體當陽極，而中頻濺射是成對的，筒體是否參加須視整體設計而定，與整個系統濺射過程中，陽極陰極的安排有關，參與的比率周期有很多方法，不同的方法可得到不相同的濺射產額，得到不相同的離子密度。
中頻濺射主要技術在于電源的設計與應用，目前較成熟的是正弦波與脈沖方波二種方式輸出，各有其優缺點，首先應考慮膜層種類，分析哪種電源輸出方式適合哪種膜層，可以用電源特性來得到想要的膜層效果。
磁控濺射中氬離子沖擊靶材使靶材原子和分子碎片沉積在零件，靶材材料動能可達數百甚至上千電子伏特能量。是中性的納米級鍍膜。陰極弧起弧后一方面靶面高溫將材料冶金融化，強大電場然后將融化材料幾乎完全離子化，在靶電源和零件偏壓綜合作用下成膜。
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